芯片工藝彎道超車 三星宣布2027年量產1.4nm工藝

對于半導體行業的金科玉律，有廠商一直在喊摩爾定律已死，也有廠商不斷給它續命，期望工藝繼續更新下去——三星今年6月份搶先量產了3nm工藝，2025年還要量產2nm工藝，現在他們也宣布1.4nm工藝2027年量產了。

三星主管晶圓代工業務的社長崔時榮表示，將基于下一代晶體管結構全環繞柵極(GAA)技術不斷創新工藝，計劃2025年實現2nm芯片生產，2027年實現1.4nm工藝。

不過三星沒有公布1.4nm工藝的具體細節，現在談晶體管密度、性能及功耗還是有點早，不過對三星來說，這是繼3nm搶先量產之后又一次彎道超車的機會，畢竟1.4nm量產是他們首個宣布的。

三星不是唯一一家要量產1.4nm工藝的，臺積電現在也是3nm建廠量產，2nm在2025年量產，今年年中也組建了團隊攻關1.4nm工藝，現在是TV0第一階段，主要是確定2nm技術規格。

此外，Intel會在2025年量產20A及18A兩代工藝，相當于友商的2nm及1.8nm，雖然不是1.4nm工藝，但三家廠商在2025前后兩年的競爭回很激烈。

量產1.4nm工藝還有個條件，那就是全面上馬ASML下一代的高NA EUV光刻機，NA數值孔徑從目前的0.33提升到0.55，進一步提升光刻分辨率，預計在2026年開始正式上市，明年會出貨樣機給三大客戶。